Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
vertical double-diffused MOS — stačiasis dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical double diffused MOS; vertical double diffused MOS structure vok. vertikale Doppeldiffusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная… … Radioelektronikos terminų žodynas
structure MOS verticale à double diffusion — stačiasis dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical double diffused MOS; vertical double diffused MOS structure vok. vertikale Doppeldiffusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная… … Radioelektronikos terminų žodynas
vertikale Doppeldiffusions-MOS-Struktur — stačiasis dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical double diffused MOS; vertical double diffused MOS structure vok. vertikale Doppeldiffusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная… … Radioelektronikos terminų žodynas
stačiasis dvikartinės difuzijos MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical double diffused MOS; vertical double diffused MOS structure vok. vertikale Doppeldiffusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная вертикальная МОП структура, f pranc. structure MOS… … Radioelektronikos terminų žodynas
двухдиффузионная вертикальная МОП-структура — stačiasis dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. vertical double diffused MOS; vertical double diffused MOS structure vok. vertikale Doppeldiffusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная… … Radioelektronikos terminų žodynas
Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… … Deutsch Wikipedia
